フルオロカーボンプラズマによる堆積膜の分析

名古屋大学　工学部・工学研究科　　　　　　　　　　　　　　　
○高田　昇治、尾山　公一、近藤　一元

　フルオロカーボンプラズマを用いた半導体のドライエッチングプロセスでは、真空容器壁等に絶縁性の堆積膜が生成される。この堆積膜の表面状態に依存したラジカルの生成・消滅がエッチング速度に影響を与えることが問題となっている。今回、ヘリカル波放電Ｃ４Ｆ８プラズマで生成した堆積膜の分析を試みたので報告する。